原位表征技术在固态电池界面研究中的应用
常毅1,, 李焯华2, 赵瑞瑞2

Application of In-Situ Characteristic Technology in Studying Interfaces of Solid-State Battery
CHANG Yi1,, LI Zhuo-hua2, ZHAO Rui-rui2
Si层厚度为45 nm的Cu/Si/LLZTO/Li电池极化过程中的原位SEM研究[ 18 ]:(a)原始界面的SEM图像,(b ~ e)极化15 min、30 min、45 min和60 min后的界面形态,(f ~ h)反向极化15 min、30 min和45 min后的界面形态;Si层厚度为360 nm的Cu/Si/LLZTO/Li电池极化过程中的原位SEM研究:原始界面的SEM图像(i)和极化15 min、30 min、45 min(j ~ l)后的界面形态